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InGaAs超低噪單元探測(cè)器

簡要描述：InGaAs超低噪單元探測(cè)器：超低噪聲光電單元探測(cè)模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響。該模塊在本底噪聲控制方面尤為突出，在相同參數(shù)下其本底噪聲約為常規(guī)模塊的三分之一，很好滿足客戶對(duì)更小信號(hào)探測(cè)以及更高信噪比的需求。

產(chǎn)品品牌：其他品牌
廠商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2024-10-12
訪問量：121

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InGaAs超低噪單元探測(cè)器

產(chǎn)品簡介

超低噪聲光電單元探測(cè)模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響。該模塊在本底噪聲控制方面尤為突出，在相同參數(shù)下其本底噪聲約為常規(guī)模塊的三分之一，很好滿足客戶對(duì)更小信號(hào)探測(cè)以及更高信噪比的需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)

l噪聲超低

l高增益

l高帶寬

l結(jié)構(gòu)緊湊

l內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

l光纖傳感

l光纖通信

l激光測(cè)距

l光譜測(cè)量

lns 級(jí)光脈沖探測(cè)

測(cè)試結(jié)果

InGaAs超低噪單元探測(cè)器

200MHz單元探測(cè)器帶寬曲線

InGaAs超低噪單元探測(cè)器

2GHz單元探測(cè)器帶寬曲線

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	UPD-100M-A	UPD-200M-A	UPD-300M-A	UPD-400MA	UPD-500M-A	UPD-600M-A	UPD-800M-A	UPD-1G-A	UPD-1.2G-A	UPD-1.5G-A	UPD-2G-A	UPD-2.5G-A	UPD-5G-A	單位
探測(cè)器類型	InGaAs
波長	800~1700													nm
帶寬	100M	200M	300M	400M	500M	600M	800M	1G	1.2G	1.5G	2G	2.5G	5G	Hz
探測(cè)器響應(yīng)度	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	A/W@1550nm
跨阻增益	30K	30K	30K	20K	15K	15K	30K	30K	30K	30K	30K	30K	6K	V/W
飽和光功率	140	140	140	420	280	280	140	140	140	420	140	140	700	jw
NEP	2.2	2.2	2.2	2.7	3.1	3.1	3.3	3.3	3.3	3.3	3.3	3.3	3.3	pW/Sqrt(Hz
輸出阻抗	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	Q
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC	DC	AC	AC	AC	AC	AC	AC	AC
供電電壓	5	5	5	5	5	12	12	12	12	12	12	12	12	V
供電電流	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.3	A
光學(xué)輸入	FC/APC(自由空間光可選)												FC/APC
射頻輸出	SMA												SMA
外形尺寸	655020						655025						809025	mm

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